鉿用于最新的intel45納米處理器。由于二氧化硅（SiO2）具有易制性(Manufacturability)，且能減少厚度以持續改善晶體管效能，處理器廠商均采用二氧化硅做為制作柵極電介質的材料。當英特爾導入65納米制造工藝時，雖已全力將二氧化硅柵極電介質厚度降低至1.2納米，相當于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時，耗電和散熱難度亦會同時增加，產生電流浪費和不必要的熱能，因此若繼續采用時下材料，進一步減少厚度，柵極電介質的漏電情況勢將會明顯攀升，令縮小晶體管技術遭遇極限。為解決此關鍵問題，英特爾正規劃改用較厚的高K材料(鉿元素為基礎的物質）作為柵極電介質，取代二氧化硅，此舉也成功使漏電量降低10倍以上。
另與上一代65納米技術相較，英特爾的45納米制程令晶體管密度提升近2倍，得以增加處理器的晶體管總數或縮小處理器體積，此外，晶體管開關動作所需電力更低，耗電量減少近30%，內部連接線 (interconnects) 采用銅線搭配低k電介質，順利提升效能并降低耗電量，開關動作速度約加快 20%。
